电容作为电路中的储能元件，实际使用中并非理想状态，存在能量损耗。损耗角正切值 (tanδ) 是衡量电容损耗的关键指标，直接关系到电路性能，尤其在高频和高精度应用中。
电容损耗主要源于介质损耗和等效串联电阻 (ESR)。介质损耗由电介质材料在交变电场下的极化引起，ESR则来自电极材料、引线及电介质电阻。tanδ 综合反映了这两种损耗，数值越大，损耗越高。
在高频电路中，tanδ 增加会加剧电容阻抗随频率的变化，影响电路频率响应。在信号传输中，电容损耗会引起信号衰减，降低信号质量。在功率电路中，损耗转化为热能导致器件升温，影响电路可靠性。在精密测量中，电容损耗会引入误差，降低测量精度。
因此，电路设计应根据具体需求选择合适电容，保证电路正常工作。对于高频、高精度和功率应用，选择低 tanδ 值的电容至关重要。
